Samsung bắt đầu sản xuất bộ nhớ 512GB cho smartphone thế hệ tiếp theo

06/12/2017
Samsung bắt đầu sản xuất bộ nhớ 512GB cho smartphone thế hệ tiếp theo
Ảnh minh họa

Dung lượng bộ nhớ trong dành cho smartphone đã phát triển theo cấp số nhân trong vài năm trở lại đây. Từ ngày bộ nhớ trong có 4 GB, bây giờ là 256 GB và sắp tới, chúng ta sẽ thấy smartphone bộ nhớ trong 512 GB đến từ Samsung.

Theo Gizmochina, Samsung mới đây đã thông báo hãng bắt đầu sản xuất chip nhớ 512 GB cho smartphone thế hệ tiếp theo (thông báo này được đưa ra tại Hàn Quốc). Phó chủ tịch bộ phận kinh doanh và tiếp thị bộ nhớ Samsung, Jaesoo Han cho hay:

"Bằng cách đảm bảo cung cấp bộ nhớ tiên tiến và ổn định này, Samsung đang có một bước tiến lớn, góp phần vào việc tung ra thị trường các thiết bị di động thế hệ tiếp theo cùng với các nhà sản xuất di động trên thế giới ".

Bộ nhớ flash mới (eUFS) sẽ sử dụng chip V-NAND 512-gigabit của Samsung và sẽ vượt qua những giới hạn hiện tại do việc sử dụng thẻ MicroSD.

UFS 512 GB mới làm tăng mật độ lưu trữ eUFS 256 GB từ 48 lớp lên 64 lớp và cũng bao gồm chip điều khiển. Samsung cũng đang sử dụng một loạt các công nghệ mới để tăng hiệu suất và tiết kiệm năng lượng. Chip điều khiển sẽ làm tăng tốc quá trình chuyển đổi các địa chỉ khối logic thành khối vật lý.

Samsung cho biết tốc độ đọc và ghi cũng đã được cải thiện, đạt lần lượt đến 860 Mbps và 255 Mbps. Bộ nhớ eUFS mới cũng được cho là đọc đến 42.000 IOPS (input/output per second) và ghi 40.000 IOPS cho hoạt động ngẫu nhiên.

So sánh với tốc độ 100 IOPS mà các thẻ MicroSD thông thường đọc và ghi thì nó gấp khoảng 400 lần hiệu suất. Kết quả của việc này là người dùng có thể tận hưởng trải nghiệm đa truyền thông liền mạch, tốc độ cao hơn.

Hiện chưa rõ điện thoại nào sẽ là sản phẩm đầu tiên sử dụng bộ nhớ mới nhưng nếu Galaxy S9 ra mắt cùng bộ nhớ mới này thì nó thực sự thú vị.

(Tổng hợp)